- Die Spannung am Verbraucher ist 12V - 0,3V = 11,7V (fast die komplette Versorgungsspannung)
- An der Strecke B-E fällt eine Spannung von 0,7V (tatsächlich hat dieser p-n-Übergang dieselbe Kennlinie wie
eine Si-Diode
- Die Spannung an R2 = 0,7V (parallel zu BE geschaltet)
- Damit fällt an R1 die Restspannung von 12V - 0,7V = 11,3V
- Die Stromverstärkung BI dieses Transistors beträgt 250mA / 10mA = 25
- Die Spannungsverstärkung BU dieses Transistors beträgt 11,7V / 0,7V = 16,7
- Die Leistungsverstärkung BP dieses Transistors beträgt 25 * 16,7 = 418
- Der Widerstand R1 schützt als Vorwiderstand die Basis des Transistors vor zu hohen Strömen ( wie der Vorwiderstand
einer Diode)
- Der Widerstand R2 sorgt nach dem Abschalten dafür, dass die Basis schnell auf Massepotenzial kommt, und der Transistor den
Arbeitsstrom abschaltet
- R1 und R2 bilden einen Spannungsteiler, der die Gesamtspannung im Verhältnis 11,3V / 0,7V aufteilt
- Die Verlustleistung Ptot in dieser Schaltung beträgt IC * UCE =
250mA * 0,3V = 75mW Diese Leistung heizt den Transistor auf und muss gegebenenfalls über Kühlbleche abgeleitet werden.
- Emitterstrom = Kollektorstrom + Basisstrom IE = IC + IB
(Knotenregel)
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